Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2N7002NXBKR
MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2N7002
2N7002NXBKR Hakkında
2N7002NXBKR, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 270mA sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-236-3 (SOT-23) yüzeye monte paketinde sağlanan bu transistör, anahtarlama devreleri, lojik seviyeleri kontrol, küçük sinyal amplifikasyonu ve genel amaçlı dijital/analog uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. 2.8Ω maksimum Rds(On) değeri ile verimli anahtarlama performansı sunmakta, geniş çalışma sıcaklığı aralığında (-55°C ile 150°C arasında) güvenilir işletme sağlamaktadır. Düşük kapasite ve yüksek anahtarlama hızı özelliği ile mobil cihazlar, USB arabirimleri ve batarya yönetim sistemlerinde sıklıkla uygulanmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 270mA (Ta), 330mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 23.6 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 310mW (Ta), 1.67W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8Ohm @ 200mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok