Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2N7002NXAKR

MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
2N7002

2N7002NXAKR Hakkında

2N7002NXAKR, Nexperia tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 190mA (Ta) / 300mA (Tc) sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 5V-10V gate sürüş voltajı aralığında çalışır ve maksimum 4.5Ohm RDS(on) direncine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında güvenilir operasyon sağlar. Anahtarlama uygulamaları, sinyal yönlendirmesi, güç yönetimi devrelerine ve genel amaçlı lojik seviye dönüştürme işlemlerine uygun düşer. 265mW (Ta) / 1.33W (Tc) güç tüketimi ile düşük enerji uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 190mA (Ta), 300mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 430 pC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 20 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Supplier Device Package TO-236AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok