Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2N7002MTF

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
2N7002

2N7002MTF Hakkında

2N7002MTF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. SOT-23-3 (TO-236-3) paketinde sunulan bu bileşen, 60V drain-source gerilimi (Vdss) ve 115mA sürekli drenaj akımı kapasitesiyle düşük güç uygulamalarında kullanılır. 10V Vgs'de 7.5Ω maksimum RDS(on) değeri ve 200mW güç harcaması ile logic seviyesi kontrolü, anahtarlama devrelerinde ve sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol ve mobil cihazlarda yaygın olarak yer alır. Obsoleyt durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 115mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok