Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2N7002LT1H

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
2N7002

2N7002LT1H Hakkında

2N7002LT1H, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj kapasitesi ve 115mA sürekli dren akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. SOT-23-3 (TO-236) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 5V ve 10V gate voltajında çalışabilir ve 7.5Ω (10V, 500mA) RDS(on) değerine sahiptir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ve 225mW maksimum güç dağılımı ile transistör, anahtarlama devrelerinde, sinyal yönetiminde ve alçak güç lojik uygulamalarında tercih edilir. Düşük kapasite değeri (50pF) hızlı komütasyon gerektiren tasarımlara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 115mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 225mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok