Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2N7002L6327HTSA1
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2N7002L
2N7002L6327HTSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen 2N7002L6327HTSA1, 60V drain-source gerilimi ve 300mA sürekli dren akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. SOT-23-3 (SC-59) paketinde sunulan bu komponent, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri gerçekleştirir. 10V gate geriliminde 3Ω maksimum on-direnci ile verimli komutasyon sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Gümrük geçişleri, sinyal şartlandırma devreleri, anahtarlama uygulamaları ve genel amaçlı lojik devrelerinde yaygın olarak kullanılır. Maksimum 500mW güç tüketimi ile kompakt tasarımlarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 20 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok