Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2N7002KT3G

MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
2N7002

2N7002KT3G Hakkında

2N7002KT3G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajı ve 320mA sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük sinyal seviyesi anahtarlama uygulamalarında kullanılır. SOT-23-3 (TO-236) paketinde sunulan bu bileşen, lojik seviye sürülen yük anahtarlaması, GPIO kontrol devreleri, çok kanallı multiplexer uygulamaları ve sinyal anahtarlama işlemlerinde tercih edilir. 10V gate voltajında 1.6Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük on-direnci sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen cihaz, 350mW güç dağılımı kapasitesi ile kompakt tasarımlarda yer alabilir. Hızlı anahtarlama karakteristiği ve düşük parazit kapasitansı ile sinyal işleme devrelerinde tercih edilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 320mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 24.5 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok