Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2N7002KT1G

MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
2N7002

2N7002KT1G Hakkında

2N7002KT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilim ve 320mA sürekli dren akımı ile çalışır. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paket içinde sunulur. 1.6Ω on-resistance (10V, 500mA) ile düşük güç kaybı sağlar. Gate eşik gerilimi 2.5V olup, ±20V maksimum gate geriliminde güvenli çalışır. 350mW maksimum güç tüketimi ile hafif anahtarlama uygulamalarına, sinyal kontrolüne ve düşük güçlü devreler için uygun bir komponenttir. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Anahtarlama hızı ve düşük kapasitesi nedeniyle dijital kontrol devreleri, USB anahtarlaması ve koruma devrelerinde kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 320mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 24.5 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok