Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2N7002KQ-13

2N7002 FAMILY SOT23 T&R 10K

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
2N7002

2N7002KQ-13 Hakkında

2N7002KQ-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. SOT-23-3 (SC-59, TO-236-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 60V Drain-Source gerilim dayanımı ve 310mA sürekli drain akımı özelliğine sahiptir. 10V kapı geriliminde maksimum 2Ohm on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. Kapı eşik gerilimi 2.5V olup, ±20V kapı gerilimi aralığında çalışabilir. 370mW maksimum güç dağılımı kapasitesiyle bilgisayar, haberleşme ve tüketici elektroniği uygulamalarında genel amaçlı anahtarlama ve lojik seviye dönüştürme işlevlerinde kullanılır. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 310mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 370mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok