Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2N7002KD1
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- SC-101
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2N7002
2N7002KD1 Hakkında
2N7002KD1, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 350mA sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. DFN1006-3 (SOT-883) paketinde sunulan bu bileşen, düşük sinyal uygulamalarında, lojik seviyesi kuvvetlendirme devrelerinde ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate geriliminde 2.8Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 350mW güç yayılımı kapasitesine sahiptir. Taşıyıcı kartlar, sensör arabirimleri ve düşük güçlü dijital kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 350mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-101, SOT-883 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 350mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8Ohm @ 200mA, 10V |
| Supplier Device Package | DFN1006-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.9V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok