Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2N7002K-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2N7002K
2N7002K-T1-GE3 Hakkında
2N7002K-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilimi ve 300mA sürekli dren akımı kapasitesiyle, düşük güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 2Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. TO-236-3 (SOT-23) paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir çalışır. Sinyal işleme, lojik seviye çevirme, düşük güçlü anahtarlama ve koruma devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 30 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 350mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok