Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2N7002K_R1_00001

SOT-23, MOSFET

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
2N7002K

2N7002K_R1_00001 Hakkında

2N7002K_R1_00001, PANJIT tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. SOT-23 (TO-236-3) paketinde sunulan bu bileşen, 60V Drain-Source voltajı ve 300mA sürekli dren akımı özellikleri ile elektronik devrelerde anahtarlama uygulamalarına uygun hale getirilmiştir. 10V kapı voltajında 3Ω maksimum RdsOn değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olan bu transistör, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, sinyal anahtarlaması ve genel amaçlı dijital lojik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 350mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ile kompakt tasarımlar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 300mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 35 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package SOT-23
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok