Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2N7002K-AU_R1_000A2
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2N7002K
2N7002K-AU_R1_000A2 Hakkında
2N7002K-AU_R1_000A2, PANJIT tarafından üretilen 60V N-channel enhancement mode MOSFET transistörüdür. 300mA sürekli dren akımı ve 3Ohm (10V, 500mA) on-resistance değerleriyle çalışır. SOT-23-3 (TO-236) paketinde sunulan bu bileşen, düşük güç uygulamalarında anahtar ve sinyal işleme görevlerinde kullanılır. Lojik devrelerde, analog sinyallerin anahtarlanması, röle denetimi ve impedans uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir ve 500mW maksimum güç tüketimi ile sınırlandırılmıştır. 2.5V eşik gerilimi sayesinde düşük voltajlı lojik devrelerle doğrudan uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.8 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 35 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok