Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2N7002HR

2N7002H/SOT23/TO-236AB

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
2N7002H

2N7002HR Hakkında

2N7002HR, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim (Vdss) ve 300mA sürekli drain akımı kapasitesi ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 10V Vgs'de maksimum 5 Ohm gate-source direnci (Rds On) ve 2.5V eşik gerilimi (Vgs(th)) ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar. ±30V maksimum gate-source gerilimi ile geniş çalışma aralığına sahiptir. 830mW güç ayrılımı kapasitesi ve -65°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı, mobil cihazlar, portatif elektronik, IoT cihazları ve düşük güç uygulamalarında tercih edilmektedir. Küçük TO-236-3 (SOT-23) paket tipinde surface mount montajına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 300mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 830mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package TO-236AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok