Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2N7002H6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2N7002H
2N7002H6327XTSA2 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen 2N7002H6327XTSA2, 60V drain-source gerilimi ile çalışan N-Channel MOSFET transistörüdür. 300mA sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, SOT-23-3 paketinde sunulmaktadır. 3Ω tipik RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sağlar. Gate eşik gerilimi (Vgs(th)) maksimum 2.5V olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için uygun 0.6nC gate yükü karakteristiğine sahiptir. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Dijital lojik devreleri ile doğrudan uyumlu 10V drive voltajında çalışır. Küçük sinyal anahtarlaması, lojik seviyeleri dönüştürme ve temel amplifikasyon uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. SMD montajı sayesinde kompakt PCB tasarımlarına uygun bir çözüm sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 20 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok