Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2N7002H-7

MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
2N7002H

2N7002H-7 Hakkında

2N7002H-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltaj kapasitesi ve 170mA maksimum drain akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 7.5Ohm (5V, 50mA) maksimum RDS(on) değerine sahip olan bu bileşen, hızlı anahtarlama özelliği sayesinde sinyal işleme, lojik seviye değiştiriciler, yük anahtarlaması ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. Surface mount SOT-23-3 pakajında sunulan komponent, -55°C ile +150°C arasında çalışır ve 370mW maksimum güç dağılabilir. Düşük kapı yükü (0.35nC @ 4.5V) ve düşük giriş kapasitansi (26pF @ 25V) özellikleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 170mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 26 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 370mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok