Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2N7002ET3G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2N7002
2N7002ET3G Hakkında
2N7002ET3G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajında 260mA sürekli drain akımı sağlayabilir. SOT-23-3 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, düşük kapasitans ve düşük gate charge özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. 10V gate voltajında 2.5Ω on-state direnci ile verimli güç yönetimi gerçekleştirir. Gerilim dönüştürücüler, lojik seviye kaydırıcılar, akım anahtarlama ve analog anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında çalışır. Not: Bu ürün üretim durdurulmuş durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 260mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.81 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 26.7 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 300mW (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 240mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok