Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2N7002E,215

MOSFET N-CH 60V 385MA TO236AB

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
2N7002E

2N7002E,215 Hakkında

2N7002E,215, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim (Vdss) ile 385mA sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, düşük gate charge (0.69 nC) ve 3Ω on-resistance değerleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, düşük güçlü digital devreler, sinyal anahtarlaması, motor kontrolü ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Kompakt boyutu ve düşük güç tüketimi ile gömülü sistemler ve taşınabilir cihazlara uygundur. (Not: Ürün Obsolete statüsündedir.)

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 385mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 830mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package TO-236AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok