Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2N7002E-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 240MA TO236
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2N7002E
2N7002E-T1-GE3 Hakkında
2N7002E-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj ve 240mA kontinyu drain akımı ile çalışır. TO-236 (SOT-23-3) SMD paketinde sunulan bu transistör, düşük güç tüketimi gerektiren anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 3Ω maksimum Rds(on) değeri ile anahtarlama hızlı ve verimli gerçekleşir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen cihaz, sinyal anahtarlama, lojik seviyeleri kontrol etme, ince işaretli sürücü uygulamaları ve analog switch uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Düşük kapasite ve gate charge özellikleri ile yüksek frekanslı devrelerde etkin performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 240mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 21 pF @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 350mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 250mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-236 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok