Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2N7002E-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2N7002E
2N7002E-T1-E3 Hakkında
2N7002E-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 240mA sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarına uygun bir bileşendir. 3Ω maksimum RDS(on) değeri ile açık durumda düşük direnç sağlar. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, lojik seviye kontrol, ışık kontrolleri ve genel sinyal anahtarlaması uygulamalarında kullanılır. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ile +150°C) çalışabilir ve 350mW maksimum güç tüketimi ile enerji verimliliği gerektiren devrelerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 240mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 21 pF @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 350mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 250mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok