Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2N7002E

MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3

Üretici
Panasonic
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
2N7002E

2N7002E Hakkında

2N7002E, Panasonic tarafından üretilen N-kanallı MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 300mA sürekli akım kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. SOT-23-3 paketindeki bu bileşen, anahtarlama devreleri, lojik seviye çevirme, küçük sinyal amplifikasyonu ve kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 10V gate geriliminde 3Ω maksimum RdsOn değeri ile verimli çalışır. ±20V maksimum gate gerilimi, 3V eşik gerilimi ve 350mW maksimum güç tüketimi özellikleriyle entegre devreler ve mikrodenetleyicilerle uyumlu çalışma sağlar. Yüksek sıcaklık dayanımı (150°C) sayesinde çeşitli endüstriyel ve tüketici uygulamalarında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 300mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 40 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 100mA, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok