Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2N7002E-7-F
MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2N7002E
2N7002E-7-F Hakkında
2N7002E-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim ve 250mA sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, SOT-23-3 SMD paketinde sunulmaktadır. 10V gate geriliminde 3Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ile +150°C) stabil çalışan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, lojik arayüzleri, yük kontrolü ve genel sinyal işleme devrelerinde kullanılır. Düşük gate yükü (0.22nC) ve düşük input kapasitansi (50pF) hızlı anahtarlama performansı enables. 370mW maksimum güç tüketimi ile kompakt tasarımlarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 250mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.22 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 370mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 250mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok