Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2N7002E

MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
2N7002

2N7002E Hakkında

2N7002E, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi (Vdss) ile 240mA sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 3Ω maksimum RDS(on) değeri 10V gate geriliminde ölçülmüştür. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük güç tüketimi ve kompakt tasarımı nedeniyle anahtarlama uygulamalarında, sinyal kontrol devrelerinde ve güç yönetim sistemlerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, 350mW maksimum güç yayılımı ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 240mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 21 pF @ 5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 250mA, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok