Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2N7002BKT,115

MOSFET N-CH 60V 290MA SC75

Paket/Kılıf
SC-75
Seri / Aile Numarası
2N7002

2N7002BKT,115 Hakkında

2N7002BKT,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi (Vdss) ve 290mA sürekli dren akımı (Id) kapasitesine sahiptir. SC-75 (SOT-416) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve lojik seviye dönüştürme işlevleri için kullanılır. 1.6Ω maksimum on-direnç (Rds On @ 10V) ve 260mW maksimum güç tüketimi özellikleriyle, portatif cihazlar, sensör arabirimleri ve düşük akımı kontrol eden devreler gibi uygulamalarda tercih edilir. ±20V kapı gerilimi aralığında çalışır ve -55°C ile +150°C arasındaki işletme sıcaklığında stabildir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 290mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SC-75, SOT-416
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 260mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package SC-75
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok