Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2N7002BKM,315
MOSFET N-CH 60V 450MA DFN1006-3
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- SC-101
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2N7002
2N7002BKM,315 Hakkında
2N7002BKM,315, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim (Vdss) ve 450mA sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahip bu bileşen, düşük güç uygulamalarında anahtarlama işlevleri gerçekleştirmek için tasarlanmıştır. 10V gate geriliminde 1.6Ω maksimum on-state direnci (Rds On) ile verimli çalışma sağlar. 360mW maksimum güç tüketimi ve kompakt DFN1006-3 (SOT-883) yüzey montajlı paketleme, sinyal anahtarlama, lojik seviye dönüştürme ve düşük akımlı yük kontrolü gibi uygulamalarda kullanılır. -40°C ile 150°C arasında çalışabilir. Kullanan devrelerde hızlı komutasyon ve düşük ısı üretimi gerekli olan tasarımlarda tercih edilir. Not: Bu ürün üretimi sonlandırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 450mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-101, SOT-883 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-883 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok