Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2N7002BKM315
NOW NEXPERIA 2N7002BKM - SMALL S
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SC-101
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2N7002BKM
2N7002BKM315 Hakkında
2N7002BKM315, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. SC-101/SOT-883 paketinde sunulan bu komponent, 60V drain-source gerilimi ve 450mA maksimum drain akımı kapasitesine sahiptir. 1.6Ω maksimum Rds(On) değeri ile düşük açık dirençli bir anahtarlama transistörüdür. ±20V gate gerilim aralığında çalışabilen bu bileşen, 150°C maksimum junction sıcaklığında 360mW güç tüketimine uygundur. Düşük gate charge (0.6nC) ve düşük input capacitance (50pF) özellikleri, hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilmesini sağlar. Sinyal anahtarlaması, düşük güç lojik devreleri, motor kontrolü ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 450mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-101, SOT-883 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-883 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok