Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2N7002-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2N7002
2N7002-T1-GE3 Hakkında
2N7002-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 115mA sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 7.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, lojik seviyesi kontrol edilen anahtarlama devreleri, ses-video işleme, sinyal kontrolü ve düşük güçlü yük anahtarlaması gibi uygulamalarda tercih edilir. TO-236 (SOT-23-3) yüzey montajı paketi, kompakt tasarımlar için uygundur. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş çalışma aralığı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 115mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 200mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-236 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok