Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2N7002-T1-E3

MOSFET N-CH 60V 115MA TO236

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
2N7002

2N7002-T1-E3 Hakkında

Vishay 2N7002-T1-E3, N-Channel MOSFET transistörü olup 60V drain-source voltaj ve 115mA sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-236 (SOT-23-3) SMD paketinde üretilen bu bileşen, 10V gate voltajında 7.5Ohm on-direnç değerine ulaşır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ve 200mW güç tüketebilen 2N7002, sinyal anahtarlama, lojik seviye çevirimi, kısa devre koruması ve düşük güçlü DC kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Düşük kapı kapasitansi (50pF) ve 2.5V eşik voltajı ile hızlı anahtarlama gerektiren tasarımlara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 115mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package TO-236
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok