Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2N7002-F169

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD

Üretici
Flip Electronics
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
2N7002

2N7002-F169 Hakkında

2N7002-F169, Flip Electronics tarafından üretilen N-channel enhancement mode MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajı ve 115mA sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi, anahtar uygulamaları ve sinyal işlemede kullanılır. 5V ve 10V gate sürücü voltajlarında çalışabilen bu bileşen, düşük açık direnç (Rds On) değeri sayesinde enerji tasarrufu sağlar. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında ve SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan 2N7002-F169, tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol ve mobil cihazlarda yaygın olarak yer almaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 115mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 200mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok