Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2N7002-E3
MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2N7002
2N7002-E3 Hakkında
2N7002-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 115mA sürekli dren akımı ile çalışan bu bileşen, TO-236 (SOT-23-3) SMD paketinde sunulmaktadır. Maksimum 200mW güç tüketimi ve 10V kapı geriliminde 7.5Ω RDS(on) değeri ile düşük sinyal uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri yerine getirir. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı ve 50pF giriş kapasitansi, lojik kontrolü gerektiren küçük sinyalli devre uygulamalarında kullanıma uygundur. Özellikle taşınabilir elektronik cihazlar, sensör arayüzleri ve düşük güç anahtarlaması gereken tasarımlarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 115mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 200mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-236 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok