Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2N7000BU_T
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2N7000
2N7000BU_T Hakkında
2N7000BU_T, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj ve 200mA sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-92-3 paketinde sunulan bu bileşen, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri için kullanılır. 5Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 400mW güç tüketebilir. Giriş kapasitansi 50pF'dir. Basit kontrolü ve entegrasyonu sayesinde küçük sinyaller için uygulamalarda, lojik seviyeleri ile çalışabilen cihazlarda ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 400mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok