Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2N7000BU
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2N7000
2N7000BU Hakkında
2N7000BU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 200mA sürekli drain akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. TO-92-3 paket içinde sunulan bu bileşen, 4.5V ve 10V gate geriliminde 5Ohm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans sağlar. Anahtarlama devreleri, sinyal amplifikasyon, lojik seviye dönüştürme ve düşük akım uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile esnek tasarım imkanı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 400mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok