Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2N7000,126
MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2N7000
2N7000,126 Hakkında
2N7000, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 300mA sürekli drain akımı özelliğine sahiptir. TO-92-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 5Ω maksimum RDS(on) değeri ile çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına uyumludur. Sinyal anahtarlaması, düşük akım kontrol uygulamaları, lojik seviye sürme ve genel amaçlı anahtarlama devreleri için kullanılır. ±30V maksimum gate-source gerilimi ve 2V eşik gerilimi ile hassas kontrol sağlar. Bileşen halen üretimde olmadığından stok ürün olarak temin edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 40 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 830mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok