Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2N7000

MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
2N7000

2N7000 Hakkında

2N7000, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj ve 350mA sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-92-3 paketinde sunulan bu bileşen, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. 5Ω maksimum RDS(on) değeri ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar. Mikrodenetleyici çıkışlarının kontrol edilmesi, küçük motorların yönetimi, LED sürücüleri ve sinyal anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Ancak bu ürün üretimden kaldırılmıştır ve yeni tasarımlarda modern alternatiflerin kullanılması önerilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 350mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 43 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package TO-92-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±18V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok