Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2N7000
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2N7000
2N7000 Hakkında
2N7000, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel small signal MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 350mA sürekli drenaj akımı ile çalışabilen bu komponent, sinyal anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 5Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-92-3 paketinde sunulan 2N7000, hobist elektronik projelerinden profesyonel cihazlara kadar geniş kullanım alanına sahiptir. ±18V gate-source gerilimi kapsamlı kontrol aralığı sunar. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 350mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 43 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 350mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok