Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2N7000-G
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2N7000
2N7000-G Hakkında
2N7000-G, Microchip Technology tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 200mA sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-92-3 paketinde sunulan bu FET, düşük güç uygulamalarında anahtar ve amplifikasyon görevleri için kullanılır. 5Ω maksimum Rds(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve genel amaçlı dijital devreler, sensör arayüzleri, gösterge kontrol sistemleri ve hafif yükleme uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 60 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok