Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2N7000-D26Z
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2N7000
2N7000-D26Z Hakkında
2N7000-D26Z, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 200mA sürekli dren akımı kapasitesiyle düşük güçlü anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. TO-92-3 paketinde sunulan bu bileşen, 5Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen 2N7000, lojik seviyesi sürüş gerektiren sensör arayüzleri, küçük motor kontrolü, LED kontrolü ve genel sinyal anahtarlaması gibi uygulamalarda tercih edilir. 400mW güç tüketim kapasitesi ve düşük giriş kapasitansı (50pF) ile hızlı komutasyona uygun tasarımlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 400mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok