Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2N7000

MOSFET N-CHANNEL 60V 200MA TO92

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
2N7000

2N7000 Hakkında

2N7000, NTE Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 200mA sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-92 paketinde sunulan bu bileşen, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerinde kullanılır. 5Ω maksimum on-state direnci ile verimli çalışır. Gıcır elektronikleri, sensör uygulamaları, dijital kontrol devreleri ve sinyal işleme sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. 10V gate-source geriliminde 500mA akım geçişinde 5Ω'luk düşük RdsOn değeri ile enerji kaybını minimize eder. 3V kapı-kaynak eşik gerilimi ile TTL/CMOS lojik seviyeleriyle uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 60 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package TO-92
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok