Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2N6895
P-CHANNEL, MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-205AF Metal Can
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2N6895
2N6895 Hakkında
2N6895, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. TO-205AF (TO-39) metal kutuya paketlenmiş bu devre elemanı, 100V drain-source gerilim dayanımı ve 1.16A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 3.65Ω maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim direnci sunan bu transistör, güç kontrol uygulamalarında, anahtar devrelerde ve analog sinyal işlemede kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, 8.33W maksimum güç dağıtabilir. 150pF input kapasitansi ve ±20V Vgs aralığı ile geniş uygulama yelpazesine uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 150 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-205AF Metal Can |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 8.33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.65Ohm @ 740mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-205AF (TO-39) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok