Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2N6849
MOSFET P-CH 100V 6.5A TO39
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-205AF Metal Can
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2N6849
2N6849 Hakkında
2N6849, Microchip Technology tarafından üretilen P-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, 100V drain-source voltajında 6.5A sürekli akım kapasitesine sahiptir. TO-39 metal kasa paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 320mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük açık devre direnci sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. Güç amfiyeleri, anahtarlama devreleri, voltaj regülatörleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yer almaktadır. Maksimum 25W ısı dağıtımı kapasitesi bulunan komponentin, ±20V Vgs toleransı geniş kontrol aralığı sağlar. Uygun sürü voltajı 10V olup, gate yükü 34.8nC'dir. Günümüzde üretimi sonlandırılmış (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34.8 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-205AF Metal Can |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-39 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok