Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2N6800
MOSFET N-CH 400V 3A TO39
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-205AF Metal Can
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2N6800
2N6800 Hakkında
2N6800, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 400V drain-source gerilim (Vdss) ve 3A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-39 metal kapat paketine sahip olup through-hole montajı destekler. 1Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, güç denetimi, motor kontrolü, anahtarlamalı güç kaynakları ve endüstriyel elektronik uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 800mW (Ta) güç tüketimi ile tasarlanmıştır. Bileşen, üretim durdurulmuş (obsolete) konumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.75 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-205AF Metal Can |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-39 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok