Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2N6798
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO39
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-205AF Metal Can
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2N6798
2N6798 Hakkında
2N6798, Microchip Technology tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 5.5A sürekli drenaj akımı ile çalışan bu bileşen, 10V gate sürüş geriliminde 400mΩ maksimum Rds(on) değerine sahiptir. TO-39 metal kutu paketinde sunulan 2N6798, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları, motor kontrol ve endüstriyel elektronik sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ve 25W güç yayabilen bu transistör, switch mode güç kaynakları (SMPS) ve düşük güç anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Maksimum ±20V gate gerilimi ile güvenli çalışır ve 5.29nC gate yükü değeri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.29 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-205AF Metal Can |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-39 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok