Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2N6796

MOSFET N-CH 100V 8A TO39

Paket/Kılıf
TO-205AF Metal Can
Seri / Aile Numarası
2N6796

2N6796 Hakkında

2N6796, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. TO-39 metal kap paketinde sunulan bu bileşen, 100V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drain akımı ile çalışabilir. 180mOhm (10V, 5A'da) On-resistance değerine sahip olan transistör, düşük sinyalli anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olan 2N6796, kontrollü kaynaktan 25W güç dağıtabilir. Gate şarjı 6.34nC ve eşik gerilimi 4V'dir. Tarihsel ürün olup yeni tasarımlarda kullanımı önerilmez.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.34 nC @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-205AF Metal Can
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 800mW (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package TO-39
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok