Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2N6792

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-205AF Metal Can
Seri / Aile Numarası
2N6792

2N6792 Hakkında

2N6792, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. TO-205AF (TO-39) metal kasa paketinde sunulan bu bileşen, 400V drain-source geriliminde 2A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. 10V gate-source geriliminde 1.8Ohm maksimum on-direnci ile karakterize edilir. Vgs threshold gerilimi maksimum 4V'tur. 20W güç dağılımı kapasitesi ile çeşitli anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışır. Düşük input kapasitansi (600pF @ 25V) sayesinde hızlı komütasyon uygulamalarında tercih edilir. Endüstriyel kontrol, motor sürücü ve güç kaynağı tasarımlarında yaygın olarak kullanılan bir MOSFET türüdür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 600 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-205AF Metal Can
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 1.25A, 10V
Supplier Device Package TO-205AF (TO-39)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok