Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2N6788

MOSFET N-CH 100V 6A TO39

Paket/Kılıf
TO-205AF Metal Can
Seri / Aile Numarası
2N6788

2N6788 Hakkında

2N6788, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 6A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-39 metal kasa paketinde sunulan bu transistör, 10V gate sürüş geriliminde 300mΩ maksimum Rds(on) değerine ulaşır. Gate yükü 18nC olup Vgs(th) eşik gerilimi 250µA'da 4V'tır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, 800mW maksimum güç dağılımı kapasitesi sunar. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol gibi genel doğru akım anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-205AF Metal Can
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 800mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 3.5A, 10V
Supplier Device Package TO-39
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok