Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2N6786

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-205AF Metal Can
Seri / Aile Numarası
2N6786

2N6786 Hakkında

2N6786, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 400V drain-source gerilimi ve 1.25A sürekli drain akımı kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-205AF (TO-39) metal kutuya monte edilen bu bileşen, maksimum 15W güç tüketimi ile anahtarlama, amplifikasyon ve motor kontrolü devrelerinde yer alır. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığı geniş sıcaklık ortamlarındaki uygulamalara uygunluğunu sağlar. 3.7Ω maksimum RDS(on) değeri ve 4V gate threshold gerilimi ile düşük sinyal seviyelerinden kontrol edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.25A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 170 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-205AF Metal Can
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7Ohm @ 1.25A, 10V
Supplier Device Package TO-205AF (TO-39)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok