Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2N6770
MOSFET N-CH 500V 12A TO3
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-204AE
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2N6770
2N6770 Hakkında
2N6770, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V Drain-Source gerilimi ve 12A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-3 paketinde sunulan bu komponent, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde yer alır. 10V gate sürücü geriliminde 500mΩ RDS(on) değerine sahiptir. 4W (ambient) ile 150W (case) arasında güç saçabilme kapasitesi vardır. -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışma sağlar. Gate eşik gerilimi 4V olup, maksimum ±20V gate gerilimini tolere eder. Through-hole montaj türüyle PCB'ye entegrasyonu kolay şekilde gerçekleştirilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-204AE |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 4W (Ta), 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok