Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2N6767
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-204AA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2N6767
2N6767 Hakkında
2N6767, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 350V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 12A sürekli drain akımı kapasitesi ve 150W maksimum güç dağıtımı ile güç anahtarlama devrelerinde, motor kontrolü, güç kaynakları ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. TO-3 paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. 10V gate sürüş voltajında 400mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. 3000pF giriş kapasitansı ve ±20V maksimum gate-source gerilimi ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 350 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-204AA, TO-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 7.75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok