Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2N6766

MOSFET N-CH 200V 30A TO3

Paket/Kılıf
TO-204AE
Seri / Aile Numarası
2N6766

2N6766 Hakkında

2N6766, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source voltaj ve 30A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş voltajında 90mΩ on-state direnci sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında, anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç dönüştürücüler ve DC-DC konvertörlerde uygulanır. 115nC gate yükü ile relatif hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Cihaz obsolete statüsü taşımakla birlikte, eski sistem bakımı ve kurtarma projelerinde referans olarak kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 115 nC @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-204AE
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 4W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package TO-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok