Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2N6761

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-204AA
Seri / Aile Numarası
2N6761

2N6761 Hakkında

2N6761, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 450V Drain-Source gerilimi ve 4A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlama devreleri, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 2Ω maksimum RDS(ON) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 450 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-204AA, TO-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package TO-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok