Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2N6759

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-204AA
Seri / Aile Numarası
2N6759

2N6759 Hakkında

2N6759, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 350V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ve 4.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. 1.5Ω maksimum drenaj-kaynak direnci (Rds On) ile verimli güç transferi sağlar. TO-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ve 75W maksimum güç tüketimi ile geniş uygulama yelpazesini destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 350 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-204AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 3A, 10V
Supplier Device Package TO-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok